NXP Semiconductors AFT05MS031GNR1
$ 12.67
EOL
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AFT05MS031GNR1 | 250 | 9h | |||||||||
| DigiKey | 568-AFT05MS031GNR1CT-ND | 881 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | AFT05MS031GNR1 | 0 | 500 | Tape & Reel | ||||||||
| RFMW | AFT05MS031GNR1 | 0 | 1 | 10h | ||||||||
| Future Electronics | AFT05MS031GNR1 | 0 | 500 | Tape & Reel |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +75.58%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per NXP Semiconductors AFT05MS031GNR1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2012-05-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-09-30
Parti correlate
NXP SemiconductorsAFT09MS031NR1
AFT09MS Series 40 V 870 MHz N-Channel RF Power LDMOS Transistor - TO-270-2
NXP SemiconductorsMW6S010GNR1
RF Power Transistor,450 to 1500 MHz, 10 W, Typ Gain in dB is 18 @ 960 MHz, 28 V, LDMOS, SOT1731
NXP SemiconductorsMRF6V2010NBR1
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 10 W, 50 V, FM2F
Descrizioni
Descrizioni di NXP Semiconductors AFT05MS031GNR1 fornite dai suoi distributori.
Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
RF Power Transistor, 0.0018 to 0.52 GHz, 31 W P1dB, Typ. Gain in dB is 17.7 @ 520 MHz, 13.6 V, TO-270G-2, LDMOS
RF FET Transistor, 40 V, 294 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270
Trans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RF FET, 40V, 136MHZ-520MHZ, TO-270
RF MOSFET Transistors MV9 UHF 13.6V
RF FET, 40V, 136MHZ-520MHZ, TO-270; Drain Source Voltage Vds: 40V; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: 294W; Operating Frequency Min: 136MHz; Operating Frequency Max: 520MHz; RF Transistor Case: TO-270; No. o
Alias del produttore
NXP Semiconductors ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. NXP Semiconductors può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +75.58%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-270-2
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight547.996282 mg
Technical
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Frequency520 MHz
Gain17.7 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Frequency520 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation294 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power31 W
Test Current10 mA
Test Voltage13.6 V
Voltage Rating40 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per NXP Semiconductors AFT05MS031GNR1.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità