Nexperia PMV40UN2R
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Tendenza a 3 mesi: +0.00%
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0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-04-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMN3070SSN-7
Single N-Channel 30 V 50 mOhm 6 nC 0.78 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Diodes Inc.DMP3056L-7
DMP3056L Series 30 V 4.3 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
InfineonIRLML5203TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 98Milliohms;ID -3A;Micro3;PD 1.25W;-55degc
Descrizioni
Descrizioni di Nexperia PMV40UN2R fornite dai suoi distributori.
NEXPERIA - PMV40UN2R - MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 30 V, 0.036 ohm, 4.5 V, 650 mV
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 4.4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Surface Mount
Nexperia N-Channel MOSFET PMV40UN2, Vds=30V, 4.4A, SOT-23, SMD, 3-Pin
PMV40UN2 Series 30 V 44 mOhm 3.7 A SMT N-Channel TrenchMOS FET - TO-236AB
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET, N-CH, 30V, 4.4A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:650mV
Alias del produttore
Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance44 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance635 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation490 mW
Rds On Max44 mΩ
Resistance36 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage400 mV
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità