Nexperia BCV26,215
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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$ 0.083
$ 0.091
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Stock
4,018,043
499,575
499,575
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
500 mA
1.2 A
1.2 A
Transition Frequency
220 MHz
220 MHz
220 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
20000
20000
20000
Power Dissipation
250 mW
350 mW
350 mW
Supply Chain
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Parti correlate
onsemiBC859BLT3G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
onsemiBC859BLT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Descrizioni
Descrizioni di Nexperia BCV26,215 fornite dai suoi distributori.
BCV26 Series 30 V 500 mA SMT PNP Darlington Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Transistor Darlington PNP 30V 0.5A 3-Pin TO-236AB T/R
Transistor PNP; Bipolar; 10V; 250mW; 40V; 500mA; 10000; 220MHz; -55¡ãC~150¡ãC; BCV26,215; BCV26.215; BCV26,235; BCV26.235
500 mA 30 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
TRANS, DARLINGTON, -30V, 220MHZ, SOT23-3; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-30V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:4000hFE; Transistor Case Style
Alias del produttore
Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight200.998119 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min20000
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency220 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità