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Nexperia BCP53,115

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
$ 0.148
Production
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet0 pagine0 anni fa

Nexperia

Newark

Future Electronics

TME

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.148
$ 0.151
$ 0.151
Stock
2,731,684
4,215,951
4,215,951
Authorized Distributors
5
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
-
SOT-223-4
SOT-223-4
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-80 V
-80 V
Max Collector Current
1 A
1.5 A
1.5 A
Transition Frequency
145 MHz
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
500 mV
500 mV
hFE Min
63
40
40
Power Dissipation
1.5 W
1.5 W
1.5 W

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Parti correlate

Diodes Inc.BCP53TA
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
onsemiNZT6729
NZT Series PNP 1 W 80 V 1 A Surface Mount General Purpose Transistor - SOT-223
Diodes Inc.BCP5310TA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 150MHz 2W Surface Mount SOT-223
Diodes Inc.DCP55-16-13
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
onsemiNZT6728
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Bipolar (BJT) Transistor 50 @ 250mA 1V 1.2A 1W 60V
onsemiPZT2907A
Bipolar Junction Transistor (BJT) PNP 60V 600mA 1W SOT-223

Descrizioni

Descrizioni di Nexperia BCP53,115 fornite dai suoi distributori.

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
BCP53 Series 80 V 1 A SMT PNP Medium Power Transistor - SOT-223
Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Avnet Japan
500mV@50mA,500mA PNP 1.35W 5V 100nA 100V 80V 1A SOT-223 SMD 1.7mm H
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency Typ, ft:145MHz; Power Dissipation Pd:650mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain Max (hfe):63 ;RoHS Compliant: Yes

Alias del produttore

Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BCP53115