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Nexperia BC856W,115

Bipolar Junction Transistors - BJT; NEXPERIA; BC856W, 115; PNP; 3; -65 V; -200 mA
$ 0.028
Production
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Nexperia BC856W,115.

IHS

Datasheet13 pagine3 anni fa
Datasheet12 pagine24 anni fa

Upverter

Newark

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+36.54%

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Parti alternative

Price @ 1000
$ 0.028
$ 0.031
$ 0.031
Stock
1,885,559
5,015,032
5,015,032
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-323
SOT-323
SOT-323
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
65 V
65 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
125
125
125
Power Dissipation
200 mW
200 mW
200 mW

Supply Chain

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Parti correlate

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA NPN SC-70 Bipolar (BJT) ROHS

Descrizioni

Descrizioni di Nexperia BC856W,115 fornite dai suoi distributori.

Bipolar Junction Transistors - BJT; NEXPERIA; BC856W, 115; PNP; 3; -65 V; -200 mA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
PNP 200mW -5V 15nA 65V 100mA SOT-323 SMD mount 1.35mm(width)*2.2mm(height)
TRANSISTOR, PNP, -65V, -100MA, SOT-323-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -65V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 125hFE; Transistor Case Style: SOT-323; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Operating Temperature Min: -65°C

Alias del produttore

Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • Infineon_Nexperia
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BC856W 115
  • BC856W 115.
  • BC856W,115.
  • BC856W-115
  • BC856W115