Nexperia BC856W,115

Bipolar Junction Transistors - BJT; NEXPERIA; BC856W, 115; PNP; 3; -65 V; -200 mA
$ 0.034
Production
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DistributorSKUMinPkg
NewarkBC856W,1157681Cut Tape
Rochester Electronics
2
BC856W,115326.920
21h
Future ElectronicsBC856W,11536.0003KTape & Reel
DigiKey
3
1727-4865-1-ND7081Cut Tape
Verical
9
BC856W,11578.00014019

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Nexperia BC856W,115.

IHS

Datasheet13 pagine2 anni fa
Datasheet12 pagine24 anni fa

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Newark

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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
NexperiaBC856W,115
Diodes Inc.BC856AW-7-F
Diodes Inc.BC856AW-7-F
Price @ 1000
$ 0.034
$ 0.05
$ 0.05
Stock
2,457,944
573,583
573,583
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-323
SOT-323
SOT-323
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
65 V
65 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
125
125
125
Power Dissipation
200 mW
200 mW
200 mW

Supply Chain

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Parti correlate

onsemiFJX4002RTF
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
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NexperiaPMSTA3904,115
40V 200mW 100@10mA,1V 200mA NPN SC-70 Bipolar (BJT) ROHS
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Nexperia BC856W,115 fornite dai suoi distributori.

Bipolar Junction Transistors - BJT; NEXPERIA; BC856W, 115; PNP; 3; -65 V; -200 mA
Maritex
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Semicontronic
65V 200mW 125@2mA,5V 100mA PNP SOT-323-3 Bipolar (BJT) ROHS
EBEE
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Verical
TRANSISTOR, PNP, -65V, -100MA, SOT-323-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -65V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 125hFE; Transistor Case Style: SOT-323; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Operating Temperature Min: -65°C
Farnell

Immagini

Nexperia
Farnell
Newark
TME
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias del produttore

Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BC856W 115
  • BC856W 115.
  • BC856W,115.
  • BC856W-115
  • BC856W115