Nexperia BC856A,215
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1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.023
$ 0.029
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Stock
6,310,944
2,929,035
2,929,035
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-65 V
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
-650 mV
-650 mV
hFE Min
125
125
125
Power Dissipation
250 mW
300 mW
300 mW
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1993-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Parti correlate
onsemiMMUN2214LT1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Descrizioni
Descrizioni di Nexperia BC856A,215 fornite dai suoi distributori.
BC856 Series 65 V 100 mA SMT PNP General Purpose Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
-75mV @IC = -10 mA; IB = -0.5 mA PNP 250mW -5V 65V 100mA SOT-23 SMD mount 1.1mm(height)
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
NEXPERIA - BC856A,215 - TRANSISTOR, PNP, -65V, -100MA, SOT-23-3
Bipolar Transistors - BJT PNP GP 65V 100mA
65V 250mW 100mA 125@2mA5V 100MHz 250mV@100mA5mA PNP +150¡Í@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
100 mA 65 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -65V, -100MA, 3-SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:250
Bipolar Transistor, Pnp, -65V, -100Ma, 3-Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:65V; Continuous Collector Current:100Ma; Power Dissipation:250Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pinsrohs Compliant: Yes |Nexperia BC856A,215.
Alias del produttore
Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -79.51%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-65 V
Collector Emitter Saturation Voltage650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min125
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità