Nexperia BC846S,115
$ 0.062
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Tendenza a 3 mesi: +29.32%
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1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.062
$ 0.082
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Stock
5,370,199
295,736
295,736
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TSSOP
-
-
Polarity
NPN
-
-
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
100 mV
100 mV
hFE Min
110
110
110
Power Dissipation
300 mW
200 mW
200 mW
Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-05-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di Nexperia BC846S,115 fornite dai suoi distributori.
Bipolar Transistors (BJT); BC846S,115; NEXPERIA; NPN; 2; 65 V; 100 mA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 6-Pin TSSOP T/R
NPN general purpose double transistor
100 mA 65 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Bipolar Transistor Array; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:65V; Transition Frequency Typ, ft:100MHz; Power Dissipation, Pd:200mW; DC Collector Current:100mA ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Dual Common Anode / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 65 / DC Current Gain (hFE) = 110 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 80 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 6 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 200 / Package Type = SOT-363 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 300 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 770
Alias del produttore
Nexperia ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Nexperia può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +29.32%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTSSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min110
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità