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Infineon SPD30P06PGBTMA1

Transistor, Mosfet, P-channel, -60V, 0.075 Ohm, -30A, TO252-3, Sipmos Power
$ 0.605
Production
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Avnet
2
SPD30P06PGBTMA1
47.500
1613
USD
0,430
1d
Newark
3
SPD30P06PGBTMA1
3116
1
Cut Tape
USD
1,890
1,890
0,814
0,605
0,581
Rochester Electronics
SPD30P06PGBTMA1
124.629
USD
0,681
0,565
0,504
21h
RS (Formerly Allied Electronics)
SPD30P06P G
10
1
Bulk
USD
0,270
0,270
0,270
0,270
0,270
11h
Arrow Electronics
2
SPD30P06PGBTMA1
4839
3
USD
1,164
0,826
0,649
0,649

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon SPD30P06PGBTMA1.

element14 APAC

Datasheet10 pagine26 anni fa

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-5.30%
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Supply Chain

Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Parti correlate

onsemiFDD3682
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 32A, 0.036 ohm
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TRANS MOSFET N-CH 60V 7.7A 3PIN DPAK
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Descrizioni

Descrizioni di Infineon SPD30P06PGBTMA1 fornite dai suoi distributori.

TRANSISTOR, MOSFET, P-CHANNEL, -60V, 0.075 OHM, -30A, TO252-3, SIPMOS POWER
RS (Formerly Allied Electronics)
Single P-Channel 60 V 75 mOhm 32 nC SIPMOS® Power Mosfet - TO-252-3
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Semicontronic
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:30A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:125W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies SPD30P06PGBTMA1.
Newark
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Infineon
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 30 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 75 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 20 / Rise Time ns = 11 / Turn-OFF Delay Time ns = 30 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Power Dissipation (Pd) W = 125
Distrelec

Immagini

Augswan
TME
RS
Newark
Distrelec
RS (Formerly Allied Electronics)
Future Electronics
LZChips
iiiC

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SP000441776
  • SPD30P06P G
  • SPD30P06P-G
  • SPD30P06PG
  • SPD30P06PGBTMA1.