Infineon SMBT3906E6327HTSA1
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EOL
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Questo componente
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$ 0.035
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Stock
2,552,670
24,679,085
24,679,085
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
-40 V
-40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
400 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
330 mW
225 mW
225 mW
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-09-30
LTD Date2024-09-30
Parti correlate
ROHMSST3906T116
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
ROHMDTA115GKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemi2SA1162YT1
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 2mA 6V 150mA 200mW 80MHz
onsemi2SA1162GT1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di Infineon SMBT3906E6327HTSA1 fornite dai suoi distributori.
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
SMBT3906 Series PNP 40 V 200 mA SMT Silicon Switching Transistor - SOT-23-3
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT PNP 40V 0.2A
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:330mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Sty
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Continuous Collector Current200 mA
Current Rating-200 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency250 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation330 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità