Infineon IRLR7833TRPBF
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
Parti correlate
InfineonIRLR7843TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
InfineonIRLR7843PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
InfineonIRLR7843TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK N-Channel 30 V 161A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRLR7833TRPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.6Milliohms;ID 140A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK N-Channel 30 V 140A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Single N-Channel 30 V 5.5 mOhm 50 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
N-Ch MOSFET 140W(Tc) 20V 2.3V@250µA 50nC@4.5V 30V 4.5mΩ@15A,10V 140A 4.01nF@15V DPAK, TO-252AA SMD 6.5mm × 6.22mm × 2.3mm
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Logic Level
N Channel Mosfet, 30V, 140A, D-Pak; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:140A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRLR7833TRPBF
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating140 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.01 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max4.5 mΩ
Resistance4.5 MΩ
Rise Time6.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità