Infineon IRGR3B60KD2TRRP
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Schede tecniche e documenti
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Parti correlate
International RectifierIRGR2B60KDTRRPBF
600V IGBT with UltraFast Soft Recovery Diode, DPAKCOPAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTGD3NB60SDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 48000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRGR3B60KD2TRRP fornite dai suoi distributori.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
IGBTWITH ULTRA-FAST SOFT RECOVER
SINGLE IGBT, 600V, 7.8A; Transistor Type:IGBT; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(sat):2.4V ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)2.4 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current7.8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time77 ns
Schede tecniche e documenti
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