Infineon IRFU4510PBF
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-05-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFU4510PBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 100 V 13.9 mOhm 81 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK
MOSFET N CH 100V 56A IPAK / Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFET N CH 100V, 56A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0111ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:143W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-251AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 63 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 11.1 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 34 / Rise Time ns = 42 / Turn-OFF Delay Time ns = 42 / Turn-ON Delay Time ns = 18 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-251 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 143
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -46.40%
Modelli CAD
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance13.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.031 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation143 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.9 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation143 W
Rds On Max13.9 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height9.75 mm
Length6.73 mm
Width2.39 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità