Infineon IRFS4227TRLPBF
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Questo componente
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$ 6
Stock
848,657
459,635
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
62 A
62 A
Threshold Voltage
-
5 V
Rds On Max
26 mΩ
26 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
330 W
330 W
Input Capacitance
4.6 nF
4.6 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-09-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Parti correlate
InfineonIRFS4127TRLPBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFS4127PBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
onsemiFDB52N20TM
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 52 A, 200 V, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor FDB52N20TM
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFS4227TRLPBF fornite dai suoi distributori.
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK N-Channel 200 V 62A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Single N-Channel 200V 26 mOhm 98 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
MOSFET, 200V, 62A, 26 mOhm, 70 nC Qg, D2-Pak
Pwr Mosfet, N Channel, 200V, 62A; |Infineon Technologies IRFS4227TRLPBF.
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Surface Mount
MOSFET, N-CH, 200V, 62A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:62A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Po
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)62 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance26 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation330 W
Rds On Max26 mΩ
Resistance26 MΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità