Infineon IRFR3710ZPBF
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Obsolete
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Distributore
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRFR3710ZPBF.
Scheda dati ufficiale6 anni fa
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-07-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Parti correlate
InfineonIRFR2307ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 12.8 Milliohms;ID 42A;D-Pak (TO-252AA);-55de
InfineonIRFR3410TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
InfineonIRFR3410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFR3710ZPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 15Milliohms;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 69 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC; Lighting LED
N Channel Mosfet, 100V, 56A, D-Pak; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.018Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V Rohs Compliant: Yes
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating42 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.93 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
On-State Resistance18 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation140 W
Rds On Max18 mΩ
Recovery Time53 ns
Resistance18 MΩ
Rise Time43 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.2606 mm
Length6.1976 mm
Schede tecniche e documenti
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Scheda dati ufficiale6 anni fa
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità