Infineon IRF9952QPBF
$ 0.239
Obsolete
Prezzo e stock
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF9952QPBF.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-07-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-11-05
LTD Date2015-05-05
Parti correlate
InfineonIRF9956TRPBF
MOSFET, Power;Dual N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 3.5A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
InfineonIRF7379TRPBF
IRF7379 Series 30 V 0.045 Ohm N and P-Channel HEXFET® Power MOSFET - SOIC-8
Diodes Inc.DMP3085LSS-13
Mosfet, P-Ch, 30V, 3.8A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP3085LSS-13
Diodes Inc.DMC3025LSD-13
Dual N/P-Channel 30 V 32/85 mOhm 4.6/5.1 nC 1.2 W Silicon SMT Mosfet SOIC-8
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF9952QPBF fornite dai suoi distributori.
30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead-Free SO-8 package
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, NP SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:3.5A; On State Resistance:0.08ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:3.5A; Current, Id Cont P Channel:2.3A; Current, Idm Pulse N Channel 2:16A; Current, Idm Pulse P Channel:10A; Max On State Resistance N Channel:0.10ohm; Max On State Resistance P Channel:0.25ohm; Power Dissipation Pd:2.0W; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vds Max:30V
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance190 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Resistance100 mΩ
TerminationSMD/SMT
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità