Infineon IRF9540NSTRRPBF
$ 0.75
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF9540NSTRRPBF | 1600 | 1h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF9540NSTRRPBF | 0 | 800 | Bulk | 17h | |||||||
| Verical | IRF9540NSTRRPBF | 1600 | 332 | |||||||||
| Win Source | WS-IRF9540NSTRRPBF | 76.570 | 85 | 2h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF9540NSTRRPBF | 15.477 | 7 | Tape & Reel | 34m |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +55.56%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF9540NSTRRPBF.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-08-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15
Parti correlate
InfineonIRL530NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;D2Pak;PD 79W;VGS +/-20V;Qg 34
InfineonIRF530NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 90Milliohms;ID 17A;D2Pak;PD 70W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTB30NF10T4
N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
STMicroelectronicsSTB35NF10T4
N-Channel 100V - 0.030 Ohm - 40A - D2PAK LOW GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF9540NSTRRPBF fornite dai suoi distributori.
Single P-Channel 100V 117 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.117Ohm;ID -23A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-100V; Continuous Drain Current, Id:-23A; On Resistance, Rds(on):117mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +55.56%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Current23 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance117 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time51 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance117 mΩ
Package Quantity800
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation94 W
Rds On Max117 mΩ
Resistance117 mΩ
Rise Time67 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage100 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità