onsemi FDS6673BZ-F085
$ 0.464
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FDS6673BZ-F085 | 84.086 | 14h | |||||||||
| Newark | FDS6673BZ_F085 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-FDS6673BZ-F085 | 20 | 23 | 14h | ||||||||
| ICPartonline | FDS6673BZ_F085 | 14.573 | >1wk | |||||||||
| Worldway Electronics | FDS6673BZ-F085 | 21.836 | 7 | Tape & Reel | 13h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDS6673BZ-F085.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-07-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2020-01-24
LTD Date2020-07-24
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Parti correlate
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
InfineonIRF8113PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDS6673BZ-F085 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -14.5A, 7.8mΩ
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight230.4 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)14.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time105 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance4.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max7.8 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time225 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDS6673BZ-F085.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità