Infineon IRF8721TRPBF
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Stock
481,785
102,052
Authorized Distributors
5
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SO
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
14 A
14 A
Threshold Voltage
-
2.35 V
Rds On Max
8.5 mΩ
8.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
1.04 nF
1.04 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-07-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2025-12-31
LTD Date2026-12-31
Parti correlate
InfineonIRF7805ZTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMG4407SSS-13
1.45W(Ta) 25V 3V@ 250¦ÌA 20.5nC@ 10 V 1P 30V 11m¦¸@ 12A,20V 9.9A 2.246nF@15V SOIC-8 1.75mm
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF8721TRPBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 30V 8.5 mOhm 8.3 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
RICHTEK RT9715AGBR Power Load Switch, High Side, Active High, 1 Output, 5.5V, 2.5A, SOT-23-5
MOSFET, N Ch., 30V, 14A, 8.5 MOHM, 8.3 NC QG, SO-8, Pb-Free
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:14A; On Resistance Rds(On):0.0069Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.35V Rohs Compliant: Yes
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.04 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.35 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.5 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8.5 mΩ
Resistance8.5 MΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time8.1 ns
Turn-On Delay Time8.2 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità