Infineon IRF8714TRPBF
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Parti correlate
InfineonIRF8714GTRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMG4407SSS-13
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 9.9 A, 0.009 ohm, SOIC, Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF8714TRPBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 8.1 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 14 A, 0.0087 ohm, SOIC, Surface Mount
MOSFET, N Ch., 30V, 14A, 8.7 MOHM, 8.1 NC QG, SO-8, Pb-Free
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0087ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet IC; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:14A; On Resistance, Rds(on):8.7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:8-SOIC; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 14 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 8.7 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 5 / Rise Time ns = 9.9 / Turn-OFF Delay Time ns = 11 / Turn-ON Delay Time ns = 10 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.5
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +8.19%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSO
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.02 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.7 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8.7 mΩ
Resistance8.7 MΩ
Rise Time9.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità