Infineon IRF7488TRPBF
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7488TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 2h | |||||||
| Farnell | IRF7488TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF7488TRPBF | 3361 | 1 | Tape & Reel | 13h | |||||||
| Win Source | WS-IRF7488 | 3276 | 22 | 11h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7488TRPBF | 12.093 | 7 | Tape & Reel | 10h |
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-09-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Parti correlate
InfineonIRF7495TRPBF
Single N-Channel 100 V 2.5 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
InfineonIRF7473TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 22Milliohms;ID 6.9A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
InfineonIRF7478QPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 26 Milliohms;ID 4.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
VishaySI4056DY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 11.1A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF7488TRPBF fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 80 V 29 mOhm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 80V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:80V; Continuous Drain Current, Id:6.3A; On Resistance, Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.68 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance29 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max29 mΩ
Resistance29 MΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità