Infineon IRF7317PBF
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Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF7317PBF fornite dai suoi distributori.
Dual N/P-Channel 20 V 0.029/0.058 Ohm 18/19 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC Tube
20V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:6.6A; On Resistance, Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:6.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Cont Current Id N Channel 2:6.6A; Cont Current Id P Channel:5.3A; Current Id Max:6.6A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:2; On State Resistance N Channel Max:29mohm; On State Resistance P Channel Max:58mohm; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:26A; Pulse Current Idm N Channel 2:26A; Pulse Current Idm P Channel:21A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:F7317; Voltage Vds:20V; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:700mV; Voltage Vgs th Max:3V
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance29 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time49 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance900 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs700 mV
Number of Elements2
On-State Resistance29 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation2 W
Rds On Max29 mΩ
Resistance29 mΩ
Rise Time40 ns
Threshold Voltage700 mV
Turn-Off Delay Time42 ns
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità