Infineon IRF7105TRPBF
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Tendenza a 3 mesi: -1.65%
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF7105TRPBF fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
Dual N/P-Channel 25 V 0.1/0.25 Ohm 9.4/10 nC HEXFET® Power Mosfet -SOIC-8
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 25 V, 25 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.083 ohm
25V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N & P CH, 25V, 3.5A, SOIC-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.083ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg
Channel Type:Dual N And Dual P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:25V; Drain Source Voltage Vds P Channel:25V; Continuous Drain Current Id N Channel:3.5A; Continuous Drain Current Id P Channel:2.3A; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF7105TRPBF.
Transistor Polarity = N-Channel / Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = 3.5 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 25 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 250 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 37 / Rise Time ns = 13 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.65%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Current Rating3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance330 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance100 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance400 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità