Infineon IRF6712STR1PBF
$ 1.31
Obsolete
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF6712STR1PBF.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2014-06-20
LTD Date2014-12-20
Parti correlate
InfineonIRF6711STR1PBF
Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTD75N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF6712STR1PBF fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
DIRECTFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 25V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 17 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
Mosfet IC; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:25V; Continuous Drain Current, Id:17A; On Resistance, Rds(on):6.7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:SQ ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, DIRECTFET, 25V, SQ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Transistor Case Style:SQ; No. of Pins:5; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:6712; Current Id Max:17A; Package / Case:SQ; Power Dissipation Pd:2.2mW; Pulse Current Idm:130A; SMD Marking:2.2; Termination Type:SMD; Voltage Vds:25V; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:1.9V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.4V; Voltage Vgs th Min:1.4V
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance4.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Dual Supply Voltage25 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.57 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs1.9 V
Number of Elements1
Rds On Max4.9 mΩ
Recovery Time26 ns
Resistance4.9 MΩ
Rise Time40 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height506 µm
Length4.826 mm
Width3.95 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF6712STR1PBF.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità