Infineon IRF6619TR1

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
$ 1.525
Obsolete
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
DigiKey
2
IRF6619TR1CT-ND71581Cut Tape
FarnellIRF6619TR101
23h
Component Stockers USAIRF6619TR16302
>1wk
Win SourceWS-IRF6619TR1600023
30m
Worldway ElectronicsIRF6619TR119.2177Tape & Reel
23h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF6619TR1.

Scheda dati ufficiale9 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-14.29%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IRF6619TR1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
EE Concierge
SimboloImpronta
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-08-25
LTD Date2013-02-25

Parti correlate

InfineonIRF6619
Trans MOSFET N-CH 20V 30A 7-Pin Direct-FET MX
Dettagli
InfineonIRF6716MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET / Trans MOSFET N-CH Si 25V 39A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Dettagli
InfineonIRF6715MTR1PBF
MOSFET, N-Ch, VDSS 25V, RDS(ON) 1.3 mOhm, ID 24A, DirectFET
Dettagli
STMicroelectronicsSTB300NH02L
N-channel 24 V, 1.8 mOhm, 120 A, D2PAK STripFET(TM) Power MOSFET
Dettagli
onsemiNTD4854NT4G
Power MOSFET 25 V, 124 A, Single N-Channel
Dettagli
InfineonIRF3711STRLPBF
Single N-Channel 20 V 6 mOhm 44 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRF6619TR1 fornite dai suoi distributori.

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
DigiKey
MOSFET, N, DIRECTFET, MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.65mohm; Threshold Voltage Vgs Typ:2.45V; Power Dissipation Pd:2.8W; Transistor Case Style:MX; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:5040pF; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:2.8W; Power Dissipation Pd:2.8W; Pulse Current Idm:240A; Reverse Recovery Time trr Typ:29ns; SMD Marking:6619; Termination Type:SMD; Voltage Vds:20V; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Immagini

Newark
element14 APAC
LZChips
International Rectifier

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA