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Infineon IRF6613TRPBF

Single N-Channel 40 V 3.4 mOhm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
$ 1.22
Production
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Future Electronics
2
IRF6613TRPBF
14.400
4800
Tape & Reel
USD
1,460
Arrow Electronics
IRF6613TRPBF
3670
1
USD
1,733
1,437
1,157
1,017
0,991
Rochester Electronics
2
IRF6613TRPBF
50.515
USD
1,230
1,020
0,910
15h
DigiKey
3
IRF6613TRPBFCT-ND
4800
1
Cut Tape
USD
3,730
2,416
1,669
1,247
1,161
Newark
2
IRF6613TRPBF
0
5
Cut Tape
USD
2,130
1,470
1,470
1,470

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF6613TRPBF.

IHS

Datasheet9 pagine19 anni fa
Datasheet9 pagine20 anni fa
Datasheet0 pagine0 anni fa

Newark

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+17.93%
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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
InfineonIRF6613TRPBF
InfineonIRF6613TR1PBF
Price @ 1000
$ 1.22
$ 3.76
Stock
920,357
449,439
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
23 A
23 A
Threshold Voltage
2.25 V
1.35 V
Rds On Max
3.4 mΩ
3.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.8 W
89 W
Input Capacitance
5.95 nF
5.95 nF

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-08-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

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Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRF6613TRPBF fornite dai suoi distributori.

Single N-Channel 40 V 3.4 mOhm 42 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Future Electronics
A 40V N-channel HEXFET Power MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT package rated at 150 amperes optimized with low on resistance for applications such as active ORýing. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in
International Rectifier
MOSFET, N-CH, 40V, 150A, DIRECTFET MT-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs
element14 APAC
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Immagini

Newark
Newark
RS (Formerly Allied Electronics)
element14 APAC
RS
TME
LZChips
Future Electronics
International Rectifier
iiiC

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRF6613
  • SP001526876