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Infineon IRF5210PBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -100V; Rds(on) 0.06 Ohm; Id -40A; TO-220AB; Pd 200W; Vgs +/-20
$ 1.12
Production
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Arrow Electronics
2
IRF5210PBF
70.699
1
USD
1,270
1,270
1,035
0,940
0,921
Avnet
2
IRF5210PBF
2964
1
USD
1,260
1,241
1,007
1,007
1,007
11h
Newark
2
IRF5210PBF
3984
1
USD
3,270
1,640
1,480
1,170
1,170
Future Electronics
2
IRF5210PBF
39.950
50
Tube
USD
1,080
1,050
1,020
Rutronik
TMOSP11799
3900
1K
USD
0,893
0,715
16h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF5210PBF.

Newark

Datasheet9 pagine22 anni fa
Datasheet8 pagine28 anni fa

element14 APAC

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+12.38%
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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Parti correlate

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VishayIRF540PBF
Single N-Channel 100 V 0.077 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Dettagli
onsemiHUF75637P3
Trans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRF5210PBF fornite dai suoi distributori.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -40A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20
RS (Formerly Allied Electronics)
Single P-Channel 100 V 0.06 Ohm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Future Electronics
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
Avnet
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: P Power dissipation: 200 W
Distrelec
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Verical
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
P Channel Mosfet, -100V, 40A, To-220Ab; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF5210PBF.
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Immagini

Infineon
RS APAC
element14 APAC
Farnell
TME
RS APAC
Micros
Conrad
iiiC
RS (Formerly Allied Electronics)
South Microelectronics
Distrelec
UTSource
UTSource
B+D Enterprises
International Rectifier
Jameco
RS APAC
LCSC
Newark

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRF-5210
  • IRF5210
  • IRF5210PBF.
  • IRF5210PBF..
  • SP001559642