Infineon IRF3710ZSTRLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 14MILLIOHMS; Id 59A; D2PAK; Pd 160W; Vgs +/-20
$ 0.821
NRND
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IRF3710ZSTRLPBF6981Cut Tape
Arrow Electronics
2
IRF3710ZSTRLPBF8001
Future Electronics
2
IRF3710ZSTRLPBF18.400800Tape & Reel
Rochester Electronics
2
IRF3710ZSTRLPBF1915
11h
DigiKey
3
IRF3710ZSTRLPBFCT-ND12.2051Cut Tape

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF3710ZSTRLPBF.

Newark

Datasheet12 pagine15 anni fa
Datasheet13 pagine22 anni fa

IHS

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+2.08%
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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
InfineonIRF3710ZSTRLPBF
InfineonAUIRF3710ZS
InfineonAUIRF3710ZS
Price @ 1000
$ 0.821
$ 1.73
$ 1.73
Stock
437,599
77,215
77,215
Authorized Distributors
6
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
59 A
59 A
59 A
Threshold Voltage
-
2 V
2 V
Rds On Max
18 mΩ
18 mΩ
18 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
160 W
160 W
160 W
Input Capacitance
2.9 nF
2.9 nF
2.9 nF

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-05-10
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

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Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRF3710ZSTRLPBF fornite dai suoi distributori.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14Milliohms;ID 59A;D2Pak;PD 160W;VGS +/-20
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 100 V 18 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Infineon
Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
MOSFET, N-CH, 59A, 100V, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:59A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Po
element14 APAC
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:59A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:160W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF3710ZSTRLPBF.
Newark

Immagini

Infineon
Newark
Farnell
TME
Farnell
Future Electronics
Rochester Electronics
LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • 3710ZSTRLPBF
  • IRF3710ZSTRLPBF.
  • SP001570170