Infineon IRF3205STRLPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 8 Milliohms; ID 110A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-20V
$ 0.745
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IRF3205STRLPBF15671Cut Tape
Arrow ElectronicsIRF3205STRLPBF28851
Future Electronics
2
IRF3205STRLPBF48.000800Tape & Reel
RutronikTMOSP11750800800
7h
Rochester ElectronicsIRF3205STRLPBF370
1d

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRF3205STRLPBF.

Newark

Datasheet11 pagine22 anni fa
Datasheet11 pagine23 anni fa
Datasheet10 pagine23 anni fa

IHS

Burklin Elektronik

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-6.79%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IRF3205STRLPBF, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
SnapEDA
Impronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

InfineonIRF3205SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
Dettagli
InfineonIRF1010NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V
Dettagli
InfineonIRF1404ZSPBF
Single N-Channel 40 V 3.7 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Dettagli
STMicroelectronicsSTB200NF04T4
STB200NF04T4 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin D2PAK
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRF3205STRLPBF fornite dai suoi distributori.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 55V 8 mOhm 146 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:200W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF3205STRLPBF.
Newark

Immagini

Infineon
element14
Farnell
element14
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
RS APAC
Micros
Conrad
Future Electronics
LCSC
Rochester Electronics
LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRF3205STRLPBF.
  • SP001576758