Infineon IRF1407STRRPBF
$ 5.34
Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 5.34
$ 1.24
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Stock
31,898
334,239
334,239
Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
7.8 mΩ
7.8 mΩ
7.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
3.8 W
3.8 W
3.8 W
Input Capacitance
5.6 nF
5.6 nF
5.6 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-10-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
Parti correlate
InfineonIRF3808STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 5.9Milliohms;ID 106A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-2
InfineonIRF3808STRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 5.9Milliohms;ID 106A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-2
STMicroelectronicsSTB140NF75T4
STMicroelectronics N-Channel MOSFET STripFET F3, Vds=75V, 120A, D2PAK (TO-263), SMD, 3-Pin
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF1407STRRPBF fornite dai suoi distributori.
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:75V; Continuous Drain Current, Id:100A; On Resistance, Rds(on):7.8mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time140 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7.8 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max7.8 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time150 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità