Infineon IPW65R190CFDFKSA1
$ 1.655
Obsolete
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
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Tendenza a 3 mesi: +162%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 1.655
$ 1.94
Stock
17,142
18,257
Authorized Distributors
3
1
Mount
-
Through Hole
Case/Package
-
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
17.5 A
17.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
190 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
30 V
Power Dissipation
151 W
151 W
Input Capacitance
-
1.85 nF
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2023-02-17
LTD Date2023-02-17
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPW65R190CFDFKSA1 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247
MOSFET, N CH, 700V, 17.5A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17.5A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.445ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +162%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.5 A
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation151 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance190 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation151 W
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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