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Infineon IPW65R190CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
$ 1.2
Obsolete
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Rochester Electronics
IPW65R190CFDFKSA1
240
USD
2,000
1,790
1,690
11h
Arrow Electronics
IPW65R190CFDFKSA1
148
1
USD
0,611
0,611
0,611
0,611
0,611
Avnet
IPW65R190CFDFKSA1
0
240
13h
Worldway Electronics
IPW65R190CFDFKSA1
5737
7
Tube
USD
1,800
1,766
1,698
1,664
1d
Microchip USA
IPW65R190CFDFKSA1
297
100
Tube
>1wk

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPW65R190CFDFKSA1.

IHS

Datasheet20 pagine14 anni fa

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Cronologia dell'inventario

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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
InfineonIPW65R190CFDFKSA1
InfineonIPW65R190CFDAFKSA1
Price @ 1000
$ 1.2
$ 1.94
Stock
52,033
38,321
Authorized Distributors
3
1
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
17.5 A
17.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
190 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
30 V
Power Dissipation
151 W
151 W
Input Capacitance
-
1.85 nF

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2023-02-17
LTD Date2023-02-17

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPW65R190CFDFKSA1 fornite dai suoi distributori.

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Eurochip Technologies LTD
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247
IHS
Infineon NChannel EnhancedMOSTube CoolMOS CFDseries, Vds=650 V, 17.5 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
UnikeyIC
MOSFET, N CH, 700V, 17.5A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17.5A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.445ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Farnell
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Immagini

element14 APAC
Farnell
TME
RS
Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SP000905376