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Infineon IPW65R110CFDFKSA1

650V 31.2A 110mΩ@10V, 12.7A 277.8W 4.5V@1.3mA 1 N-Channel TO-247-3 MOSFETs ROHS
$ 3.44
Production
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Rochester Electronics
IPW65R110CFDFKSA1
26.660
USD
3,850
3,440
3,240
7h
Verical
4
IPW65R110CFDFKSA1
90
90
USD
2,612
2,612
2,612
Component Stockers USA
IPW65R110CFDFKSA1
86
USD
7,790
6,600
6,600
6,600
6,600
>1wk
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.
IPW65R110CFD
2674
1
Tape & Reel
USD
1,307
1,307
1,307
1,307
1,307
7h
Win Source
2
WS-IPW65R110CFD
39.000
24
USD
1,902
1,636
1,636
8h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPW65R110CFDFKSA1.

IHS

Datasheet20 pagine14 anni fa

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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
InfineonIPW65R110CFDFKSA1
InfineonIPW65R110CFDAFKSA1
Price @ 1000
$ 3.44
$ 3.74
Stock
409,589
193,965
Authorized Distributors
1
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
110 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
277.8 W
277.8 W
Input Capacitance
-
3.24 nF

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-06-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29

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N-channel 550 V, 0.06 Ohm, 33 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPW65R110CFDFKSA1 fornite dai suoi distributori.

650V 31.2A 110mΩ@10V,12.7A 277.8W 4.5V@1.3mA 1 N-Channel TO-247-3 MOSFETs ROHS
ODG (Origin Data Global)
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Semicontronic
MOSFET, N CH, 700V, 31.2A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 31.2A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.09; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Immagini

Augswan
Newark
Farnell
TME
RS
UTSource
Future Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPW65R110CFD
  • SP000895232