Infineon IPT004N03LATMA1
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +31.75%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPT004N03LATMA1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
InfineonIRL3713STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 260A;D2Pak;PD 330W;VGS +/-2
InfineonIRF1324STRL-7PP
N CH MOSFET, HEXFET, 24V 429A, D2-PAK-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuo
STMicroelectronicsSTL220N3LLH7
N-channel 30 V, 0.00081 Ohm typ., 220 A STripFET H7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPT004N03LATMA1 fornite dai suoi distributori.
IPT004N03L Series 30 V 300 A SMT OptiMOSTM Power-MOSFET - PG-HSOF-8
MOSFET Devices; INFINEON; IPT004N03L; 30 V; 300 A; 20 V; 300 W
Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 30V, 0.0005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 3.8W 20V 252nC@10V 1-Ch N-Channel 30V 400μΩ@10V 300A 18nF@15V TO-263 SMD, Adhesive Mount 10.58mm × 10.1mm × 2.4mm
Infineon IPT004N03LATMA1 MOSFET
RS APAC
Infineon's TO-Leadless package is optimized for high current applications such as forklift, light electric vehicles (LEV), POL (point-of-load) and telecom. This package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +31.75%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 A
Drain to Source Resistance500 µΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance18 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Manufacturer Package IdentifierPG-HSOF-8
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance400 µΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max400 µΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.2 V
Turn-Off Delay Time149 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità