Infineon IPS060N03LGAKMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
$ 0.197
Obsolete
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPS060N03LGAKMA16000
10h
FarnellIPS060N03LGAKMA101
9h
Microchip USAIPS060N03LGAKMA119833500Tray
1d
VericalIPS060N03LGAKMA145001523
Win Source
2
WS-IPS060N03LG24.90060
11h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPS060N03LGAKMA1.

IHS

Datasheet12 pagine15 anni fa

Farnell

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+0.00%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IPS060N03LGAKMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
EE Concierge
SimboloImpronta
Ultra Librarian
SimboloImpronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-08-15
LTD Date2018-02-15

Parti correlate

InfineonIPS075N03LGAKMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Dettagli
onsemiNTD4906NA-35G
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 10.3A Ta 54A Tc 54A 1.38W 30V
Dettagli
InfineonIRFU3707ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 56A;I-Pak (TO-251AA);PD 50W
Dettagli
onsemiFDU8882
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 55 A, 0.0115 ohm, TO-251AA, Through Hole
Dettagli
onsemiFDU8880
MOSFETs 30V,58A,10 OHM, NCH PWR TRENCH MOSFET
Dettagli
onsemiFDU8796
Trans MOSFET N-CH 25V 35A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPS060N03LGAKMA1 fornite dai suoi distributori.

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Verical
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
IHS
MOSFET, N CH, 50A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:56W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:56W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications, PG-TO251-3, RoHS
Infineon SCT
With the new OptiMOS 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. | Summary of Features: Ultra low gate and output charge; Lowest on-state resistance in small footprint packages; Easy to design in | Benefits: Increased battery lifetime; Improved EMI behavior making external snubber networks obsolete; Saving costs; Saving space; Reducing power losses | Target Applications: Onboard charger; Notebook; Mainboard; DC-DC; VRD/VRM; Motor control; LED
Infineon

Immagini

TME
iiiC
Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPS060N03L G
  • IPS060N03LG