Infineon IPP100N08S2L07AKSA1
$ 1.985
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2024-02-29
LTD Date2024-08-31
Parti correlate
InfineonIRFB7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IPP100N08S2L07AKSA1 fornite dai suoi distributori.
MOSFET, N-CH, 75V, 100A, TO-220; Available until stocks are exhausted Alternative available
Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
75V, N-Ch, 6.8 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Transistor MOSFET N-Channel 75V 100A 3-Pin TO-220 Tube
Mosfet, N-Ch, 75V, 100A, To-220 Rohs Compliant: Yes |Infineon IPP100N08S2L07AKSA1
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Summary of Features: N-channel Logic Level - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 75V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.4 nF
Max Dual Supply Voltage75 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance6.8 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation300 W
Rds On Max6.8 mΩ
Rise Time56 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità