Infineon IPP032N06N3GXKSA1

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Through Hole
$ 0.93
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DistributorSKUMinPkg
Future ElectronicsIPP032N06N3GXKSA1328.000500Tube
Arrow Electronics
3
IPP032N06N3GXKSA15001
RutronikTMOS180120050
14h
Rochester ElectronicsIPP032N06N3GXKSA13210
6h
DigiKeyIPP032N06N3GXKSA1-ND871Tube

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPP032N06N3GXKSA1.

IHS

Datasheet11 pagine15 anni fa
Datasheet11 pagine15 anni fa

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Supply Chain

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Parti correlate

onsemiFDP030N06
FDP030N06 series 60 V 193 A 3.2 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - TO-220-3
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InfineonIPP040N06N3GXKSA1
188W(Tc) 20V 4V@ 90¦ÌA 98nC@ 10 V 1N 60V 4m¦¸@ 90A,10V 11nF@30V TO-220-3 10mm*4.4mm*15.65mm
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InfineonIPP037N06L3GXKSA1
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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InfineonIPP029N06NAKSA1
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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onsemiFDP5800
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 60V, 80A, 6mΩ
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STMicroelectronicsSTP60NF06
N-Channel 60V - 0.014Ohm - 60A - TO-220 StripFET(TM) II MOSFET
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPP032N06N3GXKSA1 fornite dai suoi distributori.

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Through Hole
EBV Elektronik
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-220 Tube
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
OptiMOS™ 60 V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger.In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Infineon
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; P
Farnell
density; System cost reduction; Very low voltage overshoot | Target Applications: Synchronous rectification; Solar micro inverter; Isolated DC-DC converters; Motor control for 12-48V systems; Or-ing switches
SHENGYU ELECTRONICS
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 120 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 3.2 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 20 / Rise Time ns = 120 / Turn-OFF Delay Time ns = 62 / Turn-ON Delay Time ns = 35 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 188
Distrelec

Immagini

Augswan
Farnell
TME
Micros
LZChips
Distrelec
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPP032N06N3 G
  • IPP032N06N3G
  • SP000680770