STMicroelectronics STP60NF06
$ 0.684
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Tendenza a 3 mesi: +0.05%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP55NF06L
N-channel 60 V, 0.014 Ohm typ., 35 A StripFET II Power MOSFET in a TO-220 package
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP60NF06 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 60V - 0.014Ohm - 60A - TO-220 StripFET(TM) II MOSFET
STP60NF06 N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V STripFET II, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel 60 V 16 mO STripFET II Power MosFet - TO-220
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 60A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation P
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.05%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Current Rating60 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.66 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Manufacturer Package IdentifierTO-220-POA
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max16 mΩ
Resistance16 mΩ
Rise Time108 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height19.68 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant