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Infineon IPD5N25S3430ATMA1

250V, N-Ch, 430 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
$ 0.684
Production
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Newark
IPD5N25S3430ATMA1
235
1
Cut Tape
USD
2,180
1,390
0,940
0,684
0,684
Rochester Electronics
IPD5N25S3430ATMA1
33
USD
0,704
0,585
0,521
7h
Arrow Electronics
2
IPD5N25S3430ATMA1
155
1
USD
0,624
0,614
0,595
0,595
0,595
DigiKey
3
448-IPD5N25S3430ATMA1CT-ND
5414
1
Cut Tape
USD
2,480
1,580
1,067
0,776
0,628
Avnet
IPD5N25S3430ATMA1
0
2500
USD
0,546
9h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPD5N25S3430ATMA1.

IHS

Datasheet9 pagine13 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+14.63%
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Supply Chain

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Parti correlate

onsemiFQD8N25TF
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Dettagli
onsemiFQD5N20LTF
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Dettagli
InfineonIRFR220NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 600 Milliohms;ID 5A;D-Pak (TO-252AA);PD 43W
Dettagli
InfineonIRFR220NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 600 Milliohms;ID 5A;D-Pak (TO-252AA);PD 43W
Dettagli
InfineonIRFR220NTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 600 Milliohms;ID 5A;D-Pak (TO-252AA);PD 43W
Dettagli
onsemiFQD5N30TM
MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPD5N25S3430ATMA1 fornite dai suoi distributori.

250V, N-Ch, 430 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Semicontronic
Mosfet, N-Ch, 250V, 5A, To-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(On):0.37Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD5N25S3430ATMA1
Newark
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: low RDS (on) in trench technology- down to 19.3 mOhm; highest current capability 64A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Hybrid inverter; DC/DC; Piezo Injection
Infineon

Immagini

Infineon
element14 APAC
RS
LZChips
Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPD5N25S3-430
  • SP000876584