Infineon IPD50R399CPATMA1

Name: Infineon IPD50R399CPATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD50R399CPATMA1

Transistor Mosfet N-ch 550V 9A 3-PIN TO-252 T/r

$ 0.706

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	2	448-IPD50R399CPATMA1CT-ND	1034	1	Cut Tape	2,230	1,427	0,966	0,705	0,705
Newark		IPD50R399CPATMA1	0	5	Cut Tape		1,770	1,290	1,020	1,020
Avnet		IPD50R399CPATMA1	0	2500						0,439	2d
Arrow Electronics		IPD50R399CPATMA1	0	2500						0,460
Farnell	3	IPD50R399CP	0	1	Cut Tape	1,145*	1,145*	1,145*	1,145*	1,145*	19h

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Farnell

Datasheet10 pagine15 anni fa

Datasheet6 pagine17 anni fa

Upverter

IHS

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Supply Chain

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-11-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPD50R399CPATMA1 fornite dai suoi distributori.

Transistor MOSFET N-CH 550V 9A 3-Pin TO-252 T/R

Avnet Japan

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.

Infineon

MOSFET, N, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:550V; On Resistance Rds(on):399mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; Current Id Max:9A; Package / Case:TO-252; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:550V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Immagini

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

IPD50R399CP
SP001117700

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Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Weight3.949996 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)9 A

Drain to Source Breakdown Voltage550 V

Drain to Source Resistance399 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)500 V

Dual Supply Voltage550 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time14 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance890 pF

Max Dual Supply Voltage500 V

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation83 W

Min Breakdown Voltage500 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs3 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance399 mΩ

Package Quantity2500

PackagingTape & Reel

Power Dissipation83 W

Rds On Max399 mΩ

Rise Time14 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage3 V

Turn-Off Delay Time80 ns

Turn-On Delay Time35 ns

Dimensions

Height2.413 mm

Length6.73 mm

Width6.223 mm

Schede tecniche e documenti

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Farnell

Datasheet10 pagine15 anni fa

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Upverter

IHS

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Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSNon-Compliant

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Conflict Mineral StatementN/AN/A