Infineon IPD200N15N3GATMA1

OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
$ 1.056
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPD200N15N3GATMA1.

IHS

Datasheet12 pagine12 anni fa

Future Electronics

element14 APAC

Newark

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-15.40%

Modelli CAD

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

onsemiFDD2582
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 21A, 66mΩ
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 150V, 33A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Conti
onsemiFDD2572
N-Channel Power Trench® MOSFET, 150V, 29A, 54mΩ
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 150V, 29A, 54mΩ
InfineonAUIRFR4615
Automotive Q101 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
InfineonIRFR4615PBF
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Operated Drive; Lighting LED

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPD200N15N3GATMA1 fornite dai suoi distributori.

OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
MOSFET, N CH, 50A, 150V, PG-TO252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPD200N15N3 G
  • IPD200N15N3-G
  • IPD200N15N3G
  • IPD200N15N3GBTMA1
  • SP000386665
  • SP001127820