Infineon IPD082N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
$ 0.841
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Vedi tutte le interruzioni di prezzo
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPD082N10N3GATMA12531Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPD082N10N3GATMA144751
Future Electronics
2
IPD082N10N3GATMA145.0002500Tape & Reel
RutronikTMOS244425002500
22h
Rochester ElectronicsIPD082N10N3GATMA140.757
14h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPD082N10N3GATMA1.

IHS

Datasheet12 pagine12 anni fa

_legacy Avnet

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-9.43%
Powered bySpectra logo

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IPD082N10N3GATMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
EE Concierge
SimboloImpronta
SnapEDA
Impronta
Scarica
Ultra Librarian
SimboloImpronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginMalaysia, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Parti correlate

InfineonIRFR7740TRPBF
Single N-Channel 75V 7.2 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Dettagli
InfineonIRFR7740PBF
Single N-Channel 75 V 7.2 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Dettagli
InfineonIPD068N10N3GATMA1
150W 20V 2.7V 51nC N MOSFET 100V 6.8m¦¸@ 10V 90£¨Tc=25¡ãC£©,72£¨Tc=100¡ãC£© 3.69nF@ 50V TO-252
Dettagli
STMicroelectronicsSTD80N10F7
N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
Dettagli
STMicroelectronicsSTD105N10F7AG
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Dettagli
onsemiFDD86369-F085
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80 V, 90 A, 7.9 mΩ
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPD082N10N3GATMA1 fornite dai suoi distributori.

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Verical
100V 80A 8.6m´Î@10V73A 125W 3.5V@75Ã×A N Channel PG-TO252-3 MOSFETs ROHS
Dasenic
100V 80A 8.2mΩ@10V,73A 125W 3.5V@75uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
ODG (Origin Data Global)
125W 20V 3.5V 42nC@ 10V 100V 8.2m¦¸@ 10V 80A 2.99nF@ 50V TO-252 2.41mm
UnikeyIC
Infineon MOSFET IPD082N10N3GATMA1
RS APAC
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
Mosfet, N-Ch, 100V, 80A, 175Deg C, 125W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.7V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD082N10N3GATMA1
Newark

Immagini

Augswan
TME
TME
TME
RS APAC
Future Electronics
LZChips
LCSC

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPD082N10N3 G
  • IPD082N10N3-G
  • IPD082N10N3G
  • SP001127824