Infineon IPB180N08S402ATMA1

80V, N-Ch, 2.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
$ 2.691
Obsolete
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPB180N08S402ATMA1.

IHS

Datasheet9 pagine2 anni fa
Datasheet9 pagine11 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-0.08%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon IPB180N08S402ATMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
Scarica
EE Concierge
SimboloImpronta
SnapEDA
Impronta
Scarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-06-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-02-29
LTD Date2024-08-31

Parti correlate

MOSFET N CH 60V 195A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
STMicroelectronicsSTH270N8F7-6
N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH275N8F7-6AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 / N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 190A, D2PAK-7; Transistor Polarity:N Channel; C
STMicroelectronicsSTH260N6F6-6
N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPB180N08S402ATMA1 fornite dai suoi distributori.

80V, N-Ch, 2.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 80V, To-263; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(On):0.0018Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested; Ultra low R DSon; Ultra high I D

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPB180N08S4-02
  • SP000983458