Infineon IRFS4010TRL7PP
$ 1.73
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -50.95%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-10-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Parti correlate
InfineonIRFS4010-7PPBF
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube / MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
InfineonIRLS4030TRL7PP
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS
STMicroelectronicsSTH240N75F3-6
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-6 package
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFS4010TRL7PP fornite dai suoi distributori.
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 190A, D2PAK-7; Transistor Polarity:N Channel; C
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-pin package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 190 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Single N-Channel 100 V 4 mOhm 230 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET, N CH, 100V, 190A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:190A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0033o; Available until stocks are exhausted Alternatives available
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -50.95%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins7
Technical
Continuous Drain Current (ID)190 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.83 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation380 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation380 W
Rds On Max4 mΩ
Rise Time56 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità