Infineon IGP20N60H3XKSA1

Name: Infineon IGP20N60H3XKSA1
Brand: Infineon
SKU: IGP20N60H3XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

$ 0.838

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	IGP20N60H3XKSA1	545	1		2,510	1,880	1,250	0,999	0,897
Arrow Electronics	IGP20N60H3XKSA1	500	1		0,838	0,838	0,838	0,838	0,838
Rochester Electronics	IGP20N60H3XKSA1	1567					0,817	0,678	0,604	5h
DigiKey	IGP20N60H3XKSA1-ND	32	1	Tube	2,340	2,340	2,340	2,340	2,340
Avnet	IGP20N60H3XKSA1	0	1K							2d

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Datasheet14 pagine15 anni fa

IHS

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Supply Chain

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-02-10

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2026-03-15

LTD Date2026-09-15

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Descrizioni

Descrizioni di Infineon IGP20N60H3XKSA1 fornite dai suoi distributori.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

Infineon IGP20N60H3XKSA1 IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin PG-TO220-3, Through Hole

TodayComponents

Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

High speed 600 V, 20 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO220 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

Infineon

IGBT,600V,20A,TO220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:2.4V; Power Dissipation Pd:170W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Power Dissipation Max:170W

element14 APAC

Immagini

Farnell

TME

RS APAC

Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi: