Infineon BSZ050N03LSGATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
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DistributorSKUMinPkg
NewarkBSZ050N03LSGATMA114.5921
Future Electronics
2
BSZ050N03LSGATMA110.0005KTape & Reel
Rochester ElectronicsBSZ050N03LSGATMA1127.248
9h
DigiKey
3
BSZ050N03LSGATMA1CT-ND57631Cut Tape
AvnetBSZ050N03LSGATMA105K
1d

Schede tecniche e documenti

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Newark

Datasheet9 pagine15 anni fa

Farnell

element14 APAC

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Supply Chain

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-07-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSZ050N03LSGATMA1 fornite dai suoi distributori.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Epart123
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON T/R
Avnet
30V 16A 2.1W 5m´Î@10V20A 2.2V@250Ã×A N Channel PG-TSDSON-8 MOSFETs ROHS
Dasenic
40 A 30 V 0.0078 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Component Stockers USA
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET N-Ch 16A 30V OptiMOS3 TSDSON8EP
RS APAC
2.1W(Ta),50W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 35nC@ 10 V 1N 30V 5m¦¸@ 20A,10V 40A 2.8nF@15V SON 3.3mm*3.3mm*1.1mm
UnikeyIC
BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
ODG (Origin Data Global)
MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:50W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon

Immagini

element14 APAC
Augswan
RS
TME
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSZ050N03LS G
  • BSZ050N03LSG
  • SP000304139