Infineon BSC883N03LSGATMA1
$ 0.346
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BSC883N03LSGATMA1 | 48.286 | 16h | |||||||||
| Farnell | BSC883N03LSGATMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | 17h | |||||||
| Component Stockers USA | BSC883N03LSG | 627 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-BSC883N03LSGATMA1 | 170.000 | 30 | 17h | ||||||||
| Worldway Electronics | BSC883N03LSGATMA1 | 9867 | 7 | Tape & Reel | 17h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon BSC883N03LSGATMA1.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-10-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Parti correlate
InfineonBSC034N03LSGATMA1
MOSFET Devices; INFINEON; BSC034N03LSGATMA1; 30 V; 100 A; 20 V; 57 W
InfineonIRFH8318TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH7932TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
onsemiNVTFS4C05NWFTAG
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 102A, 3.6mΩ 1500 / Tape & Reel. Pb-Free, Wettable Flanks
onsemiNVMFS4C05NT1G
Power Field-Effect Transistor, 116A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di Infineon BSC883N03LSGATMA1 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET N-CH 34V 98A 8-Pin TDSON Tube
Avnet Japan
2.5W(Ta),57W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 34V 3.8m¦¸@ 30A,10V 17A,98A 2.8nF@15V TDSON-8-1
Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
BSC883N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR;
Mosfet, N-Ch, 34V, 98A, Pg-Tdson-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:98A; Drain Source Voltage Vds:34V; On Resistance Rds(On):0.0032Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon BSC883N03LSGATMA1
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage34 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.8 mΩ
Rise Time4.4 ns
Threshold Voltage2.2 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time3.3 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità