Infineon BSZ036NE2LSATMA1

2.1W 20V 2V 7.7NC@ 4.5V, 16NC@ 10V 1N 25V 3.6M¦¸@ 10V 40A 1.2NF@ 12V Son , 3.3MM*3.3MM*1.1MM
$ 0.307
Obsolete
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon BSZ036NE2LSATMA1.

element14 APAC

Datasheet9 pagine13 anni fa

IHS

Upverter

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-8.68%

Modelli CAD

Scarica il simbolo Infineon BSZ036NE2LSATMA1, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
EE Concierge
SimboloImpronta
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date2011-03-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31

Parti correlate

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
onsemiFDMC7696
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 12A, 11.5mΩ
onsemiFDMS7694
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 30V POWER56
onsemiFDS6680A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSZ036NE2LSATMA1 fornite dai suoi distributori.

2.1W 20V 2V 7.7nC@ 4.5V,16nC@ 10V 1N 25V 3.6m¦¸@ 10V 40A 1.2nF@ 12V SON , 3.3mm*3.3mm*1.1mm
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
MOSFET, N-CH, 25V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.003ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 79 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 25 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 5.1 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 2.2 / Rise Time ns = 2.8 / Turn-OFF Delay Time ns = 15 / Turn-ON Delay Time ns = 3.3 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TDSON-8 FL / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 37

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSZ036NE2LS
  • BSZ036NE2LSXT
  • SP000854572