Infineon BSZ060NE2LSATMA1

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Surface Mount
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DistributorSKUMinPkg
AvnetBSZ060NE2LSATMA142.0005K
2d
Newark
2
BSZ060NE2LSATMA171285Cut Tape
Arrow Electronics
3
BSZ060NE2LSATMA114.2681
RutronikTMOSP1054495.0005K
9h
Rochester ElectronicsBSZ060NE2LSATMA15000
1h

Schede tecniche e documenti

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Newark

Datasheet9 pagine13 anni fa

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Supply Chain

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

Parti correlate

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N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ
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FDMS7692A Series 30 V 13.5 A 8 mOhm SMT N-Ch PowerTrench Mosfet - Power56
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InfineonBSZ065N03LSATMA1
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N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 13A, 8mΩ
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Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSZ060NE2LSATMA1 fornite dai suoi distributori.

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Surface Mount
EBV Elektronik
MOSFET Devices; INFINEON; BSZ060NE2LS; 25 V; 12 A; 20 V; 26 W
Maritex
2.1W 20V 2V 9.1nC 1N 25V 6m¦¸@ 10V 40A 670pF@ 12V TSDSON-8 , 3.3mm*3.3mm*1.1mm
UnikeyIC
Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON T/R
Avnet Japan
12 A 25 V 0.0081 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Component Stockers USA
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET N-Ch 12A 25V OptiMOS TSDSON8EP
RS APAC
25V 40A 5m´Î@10V20A 26W 2V@250uA 31pF@12V N Channel 670pF@12V 4.4nC@0~4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) PG-TSDSON-8 MOSFETs ROHS
Dasenic
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:26W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon BSZ060NE2LSATMA1.
Newark

Immagini

Farnell
TME
RS
TME
Future Electronics
Component Sense
LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSZ060NE2LS
  • BSZ060NE2LSATMA1.
  • BSZ060NE2LSXT
  • SP000776122