Infineon BSZ033NE2LS5ATMA1
$ 0.412
Obsolete
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Distributore
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -50.49%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-08-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31
Parti correlate
InfineonBSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon NChannelMOSFETTube, Vds=25 V, 80 A, SuperSO8 5 x 6encapsulation, surface mount, 8Pin
onsemiFDMS0308AS
2.5W(Ta) 50W(Tc) 20V 3V@1mA 47nC@10V N-Ch MOSFET 30V 2.8mΩ@24A,10V 24A/49A 3nF@15V QFN SMD 6mm × 5mm × 1.1mm
InfineonIRFH8316TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH5255TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di Infineon BSZ033NE2LS5ATMA1 fornite dai suoi distributori.
MOSFET Devices; INFINEON; BSZ033NE2LS5ATMA1; 25 V; 18 A; 16 V; 2.1 W
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 25V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
90004001,场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 40A, 150度 C, 30W;
N-CH 25V 40A 2,7mOhm TSDSON-8FL
With the OptiMOS™ 5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation.
Mosfet, N-Ch, 25V, 40A, 150Deg C, 30W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(On):0.0027Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSZ033NE2LS5ATMA1
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -50.49%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance4.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance910 pF
Max Dual Supply Voltage25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.3 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max3.3 mΩ
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità