Infineon BSZ031NE2LS5ATMA1
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +170%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon BSZ031NE2LS5ATMA1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
InfineonBSZ033NE2LS5ATMA1
MOSFET Devices; INFINEON; BSZ033NE2LS5ATMA1; 25 V; 18 A; 16 V; 2.1 W
onsemiFDMS0308AS
2.5W(Ta) 50W(Tc) 20V 3V@1mA 47nC@10V N-Ch MOSFET 30V 2.8mΩ@24A,10V 24A/49A 3nF@15V QFN SMD 6mm × 5mm × 1.1mm
InfineonIRFH8316TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH5255TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di Infineon BSZ031NE2LS5ATMA1 fornite dai suoi distributori.
Infineon NChannelMOSFETTube, Vds=25 V, 80 A, SuperSO8 5 x 6encapsulation, surface mount, 8Pin
Compliant Surface Mount 1 mm Contains Lead Tape & Reel 3.1 mΩ Halogen Free 8
MOSFET, N-CH, 25V, 40A, TSDSON;
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON / N-Channel 25 V 19A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 25V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon BSZ031NE2LS5ATMA1 MOSFET
场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 40A, TSDSON;
With the OptiMOS™ 5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +170%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance3.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance910 pF
Max Dual Supply Voltage25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.1 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max3.1 mΩ
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità