Infineon BSC886N03LSGATMA1

Name: Infineon BSC886N03LSGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC886N03LSGATMA1

Infineon Technologies N channel OptiMOS3 power MOSFET, 30 V, 13 A, TDSON-8, BSC886N03LSGATMA1

$ 0.324

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		BSC886N03LSGATMA1	8258	1		0,491	0,491	0,491	0,491	0,491
Rochester Electronics		BSC886N03LSGATMA1	88.225					0,316	0,262	0,234	11h
Farnell	2	BSC886N03LSGATMA1	4936	1	Cut Tape	1,173*	0,728*	0,477*	0,307*	0,307*	11h
Mouser		726-BSC886N03LSG	5000	1	Tape & Reel	1,140	0,707	0,463	0,324	0,265
Microchip USA		BSC886N03LSGATMA1	193	3500						0,320	5h

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Parti alternative

0 parti disponibili

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IHS

Datasheet10 pagine15 anni fa

Upverter

Future Electronics

Burklin Elektronik

iiiC

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2008-10-21

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2023-03-31

LTD Date2023-09-30

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Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSC886N03LSGATMA1 fornite dai suoi distributori.

Infineon Technologies N channel OptiMOS3 power MOSFET, 30 V, 13 A, TDSON-8, BSC886N03LSGATMA1

Burklin Elektronik

Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Verical

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 65 A, 0.005 ohm, PG-TDSON, Surface Mount

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

Utmel Electronic

Mosfet, N-Ch, 30V, 65A, Pg-Tdson-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.005Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon BSC886N03LSGATMA1

Newark

Immagini

Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

BSC886N03LS G
BSC886N03LSG

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: -0.01%

Modelli CAD

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Parti alternative

0 parti disponibili

Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageTO-236-3

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)13 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance9.2 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Fall Time3 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.1 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation39 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max6 mΩ

Rise Time3.2 ns

Threshold Voltage2.2 V

Turn-Off Delay Time51 ns

Turn-On Delay Time13 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet10 pagine15 anni fa

Upverter

Future Electronics

Burklin Elektronik

iiiC

Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Conflict Mineral StatementN/AN/A